EPSP和IPSP的区别
目录:
主要区别 – EPSP 与 IPSP
分级电位和动作电位是发生在神经系统中的两种类型的电位。梯度电位由配体门控离子通道蛋白的作用产生。动作电位由电压门控钠和钾通道产生。分级电位因位置和功能而异。分级电位的不同类型是突触后电位、起搏器电位、受体电位、终板电位和慢波电位。两种类型的突触后电位是 EPSP 和 IPSP。 EPSP 代表兴奋性突触后电位,IPSP 代表抑制性突触后电位。 EPSP 是由带正电的离子流入突触后细胞引起的暂时去极化,而 IPSP 是由带负电的离子流入突触后细胞引起的超极化。这 主要区别 EPSP 和 IPSP 之间是 EPSP 促进突触后膜上动作电位的发射,而 IPSP 降低动作电位的发射。
涵盖的关键领域
1.什么是EPSP – 定义、特征、角色 2.什么是IPSP – 定义、特征、角色 3、EPSP和IPSP有什么相似之处 – 共同特征概要 4、EPSP和IPSP有什么区别 – 主要差异的比较
关键词:动作电位、氯离子、兴奋性突触后电位 (EPSP)、GABA、谷氨酸、甘氨酸、抑制性突触后电位 (IPSP)、突触后电位 (PSP)、钠离子
什么是EPSP
一个 兴奋性突触后电位 (ESPS)是指突触后膜中的电荷,它使突触后膜产生动作电位。 EPSP 是由从突触前膜释放的兴奋性神经递质的结合引起的。兴奋性神经递质从突触前神经的囊泡中释放出来。产生动作电位的几个EPSP如图1所示。
图 1:产生行动潜力的 EPSP
主要的兴奋性神经递质是谷氨酸。乙酰胆碱作为神经肌肉接头处的兴奋性神经递质。这些兴奋性神经递质与受体结合并打开配体门控通道。这导致带正电荷的钠离子流入突触后细胞。突触后膜的去极化在突触后神经上产生动作电位。
什么是IPSP
这 抑制性突触后电位 (IPSP) 是指突触后膜上的电荷,它使突触后膜不太可能产生动作电位。 IPSP 是由带负电荷的氯离子流入突触后神经元引起的。抑制性神经元向突触分泌抑制性神经递质。最常见的抑制性神经递质是甘氨酸和 GABA。
IPSP的形成在图2的流程图中进行了描述。
图 2:IPSP 的形成
抑制性神经递质与突触后膜受体的结合导致配体门控氯离子通道的打开。这导致突触后膜的超极化。超极化使突触后膜不太可能产生动作电位。
EPSP 和 IPSP 之间的相似之处
EPSP和IPSP的区别
定义
EPSP: EPSP是突触后膜上的一个电荷,它是由兴奋性神经递质结合引起的,使突触后膜产生动作电位。
IPSP: IPSP是突触后膜上的电荷,它是由抑制性神经递质结合引起的,使突触后膜不太可能产生动作电位。
姓名
EPSP: EPSP 代表兴奋性突触后电位。
IPSP: IPSP 代表抑制性突触后电位。
原因
EPSP: EPSP 是由带正电离子的流动引起的。
IPSP: IPSP 是由带负电荷的离子流动引起的。
极化类型
EPSP: EPSP 是一种去极化。
IPSP: IPSP是一种超极化。
到门槛
EPSP: EPSP 使突触后膜接近阈值。
IPSP: IPSP 使突触后膜远离阈值。
励磁
EPSP: EPSP 使突触后膜更加兴奋。
IPSP: IPSP 使突触后膜不那么兴奋。
激发行动潜力
EPSP: EPSP 促进突触后膜上动作电位的发射。
IPSP: IPSP 降低了突触后膜上动作电位的发射。
结果
EPSP: EPSP 是钠通道打开的结果。
IPSP: IPSP 是钾或氯通道打开的结果。
配体类型
EPSP: EPSP 是由谷氨酸或天冬氨酸离子的流动产生的。
IPSP: IPSP 是由甘氨酸或 GABA 的流动产生的。
结论
EPSP 和 IPSP 是在突触的突触后神经膜上发现的两种类型的电荷。 EPSP 是由带正电的离子流入突触后神经引起的,而 IPSP 是由带负电的离子流入突触后神经引起的。 EPSP促进突触后膜上动作电位的产生,而IPSP抑制动作电位的产生。 EPSP 和 IPSP 之间的主要区别在于每种类型的电荷对突触后膜的影响。
参考:
1.“兴奋性突触后电位”。维基百科,维基媒体基金会,2017 年 8 月 31 日,可在此处获取。 2017 年 9 月 16 日。2.“抑制性突触后电位”。维基百科,维基媒体基金会,2017 年 8 月 30 日,可在此处获取。 2017 年 9 月 16 日。
图片提供:
1. “Synapse diag5” (CC BY-SA 3.0) 通过 Commons Wikimedia 2. “IPSPflowchart” 用户:Gth768r – 通过 Commons Wikimedia 自己的作品(公共领域)